Vorteil: | Einfache Ansteuerung der Transistoren, da die Steuersignale gleichen Bezugspegel haben | |
Nachteil: | schlechtere Ausnutzung des Trafos, da von zwei Primärspulen immer nur eine aktiv ist. Die Energie aus der Streuinduktivität muss entsorgt werden |
Vorteil: | Volle Ausnutzung des Trafos, weil es nur eine Primärspule gibt. Rückführung der Streufeldenergie. | |
Nachteil: | Schwierige potentialfreie Ansteuerung eines Schalttransistors. Doppelte Wechselstrombelastung im Vergleich zu Typ 1 und Typ 3. Dadurch erhöhter Filteraufwand bei der Entstörung. |
Vorteil: | Volle Ausnutzung des Trafos, weil es nur eine Primärspule gibt. Geringe (Wechsel)strombelastung der Schalttransistoren und vor allem der Spannungsquelle Rückführung der Streufeldenergie. | |
Nachteil: | Schwierige potentialfreie Ansteuerung zweier Schalttransistoren. Großer Aufwand, da vier Transistoren nötig sind und angesteuert werden müssen. |
Natürlich kann man auch kleine Leistungen mit einem Gegentaktwandler umsetzen. Für kleine ungeregelte DC-DC-Wandler mit Potentialtrennung ist das vielleicht sogar die ideale Wandlerform. Am einfachsten ist wieder ein selbstschwingender Wandler, dessen Umschaltung durch die Kernsättigung ausgelöst wird. Dazu werden zwar primärseitig vier Trafowicklungen benötigt, dafür aber nur wenige weitere Bauteile. In Bild 8.3 A ist ein mit MOSFETs aufgebauter selbstschwingender Wandler zu sehen.
Bild 8.3 A Ungeregelter Gegentakt-Flusswandler für kleine Leistungen
Die
erzielbare Ausgangsleistung hängt auch vom Aufbau des Trafos ab
und liegt mit den angegebenen Bauteilen bei 10-20 Watt. Durch
Umdimensionierung der Bauteile und Änderung der
Eingangsspannung kann der Leistungsbereich problemlos um den
Faktor 10 nach unten oder oben ausgeweitet werden. Im oberen
Leistungsbereich ist jedoch zu beachten, dass die Sättigungsverluste
im Trafokern zu einer erheblichen Erwärmung des Kernes führen
können. Bei kleineren Kernen ist das unkritisch, weil die zur
Kühlung bereitstehende Oberfläche relativ groß
gegenüber dem Kernvolumen ist.
Die
Funktionsweise des selbstschwingenden Gegentakt-Flusswandlers ist
identisch mit dem Eintaktwandler aus Bild 8.1
Das Ganze ist jetzt nur symmetrisch aufgebaut, sodass der Trafo
während der gesamten Periodendauer Energie überträgt.
Um den Wandler optimal ausnutzen zu können, muss die Belastung
auf der Sekundärseite natürlich auch möglichst
symmetrisch sein. Das ist entweder mit einem Brückengleichrichter,
einem Mittelpunktgleichrichter oder, wie in diesem Beispiel, mit
einer einfachen Verdopplerschaltung möglich. Zwar gibt die
Verdopplerschaltung eine symmetrische Ausgangsspannung ab, eine
asymmetrische Belastung sollte aber vermieden werden.
Genau wie
der Eintaktwandler sollte auch der Gegentaktwandler im
„Sättigungsbetrieb“ mit Betriebsspannungen
unter 40 Volt betrieben werden. Bei höheren Spannungen ist ein
sicherer Betrieb der Transistoren nicht mehr gewährleistet.
Neben dem
selbstschwingenden Gegentaktwandler gibt es auch
oszillatorgesteuerte. Dies ist die einfachste Methode, die Sättigung
des Trafokernes zu verhindern.
Die
Wechselstrombelastung der Betriebsspannung lässt sich mit einem
klassischen Gegentaktwandler mit Parallelspeisung im
Vergleich zu Eintakt- oder Halbbrückenschaltungen drastisch
reduzieren. Leider erhöht sich dabei der Aufwand bei der
Herstellung des Trafos beträchtlich.
Bild 8.3 B Ungeregelter Gegentakt-Flusswandler für hohe Leistungen
Neben den
zwei Primärwicklungen werden, wie in Bild 8.3 B zu sehen,
noch zwei Hilfswicklungen benötigt, mit deren Hilfe eine
Rückführung der Streufeldenergie auf die Betriebsspannung
möglich ist. Bei Wandlern hoher Leistung lohnt der Aufwand, weil
jedes Prozent der Verbesserung des Wirkungsgrades etliche Watt
Verlustleistung einspart und Kühlungsprobleme vermeiden hilft.
Als
Taktgeber dient ein PWM-Regler-IC vom Typ SG 3525.
Dies ist sozusagen der Nachfolgetyp des SG 3524, den ich schon in
diversen Beispielen verwendet habe. Der Vorteil des SG 3525 besteht
darin, dass er bereits einen Gegentakt-MOSFET-Treiber eingebaut hat.
Damit lassen sich die beiden Schalttransistoren besonders einfach
ansteuern. Der Regelverstärker ist so beschaltet, dass er keine
Funktion hat. Die Schaltfrequenz wird von R 1 und C 3 bestimmt. R 2
bestimmt die Totzeit, die die
Transistoren
brauchen um zu sperren, bevor der jeweilige Gegenzweig eingeschaltet
werden darf. Sie liegt mit den angegebenen Werten für C 3
und R 2 bei ca. 0,7 µs. C 2 bewirkt beim Einschalten einen
Softstart, indem der PWM-Modulator langsam bis
zur vollen Impulsbreite hochgefahren wird. Bei
Betriebsspannungen bis 15 Volt kann der SG 3525 direkt mit der
Betriebsspannung versorgt werden, sodass der 7812-Regler
entfällt. Bei höheren Betriebsspannungen muss u.U. eine
separate Stromversorgung für den SG 3525 vorgesehen werden.
Mit den
angegebenen Transistoren können bei 40 Volt Eingangsspannung
Übertragungsleistungen bis ca. 1 kW erreicht werden. Bei
Eingangsspannungen bis ca 25 Volt können auch 55-Volt-MOSFETs,
z.B. IRF 1405 (160 A) eingesetzt. Damit lassen sich dann
Dauerleistungen über 2 kW übertragen. Prinzipiell lässt
sich durch Parallelschaltung mehrerer MOSFETs jede beliebige Leistung
erzielen. Die einfache Ansteuerung der Schalttransistoren erlaubt
auch hohe Betriebsspannungen, wie z.B. Netzspannung. Bei
Netzspannungsbetrieb ist jedoch, soweit eine sekundärseitige
Überlastung nicht auszuschließen ist, wieder eine
elektronische Schutzschaltung erforderlich. Bei höheren
Betriebsspannungen ist es auch kein Problem, einen Messwiderstand
einzufügen, an dem bis zu 0,6 Volt abfallen können. In Bild
8.3 C ist ein solcher Wandler zu sehen. R 7 ist so ausgelegt, dass
die Schutzschaltung bei ca. 12 Ampere anspricht. Je nach
Betriebsspannung und Stromverlauf entspricht das einer Leistung von
bis zu 2 kW.
Bild 8.3 C Ungeregelter Gegentakt-Flusswandler für hohe Betriebsspannung
Die
Schutzschaltung habe ich hier nicht komplett eingezeichnet. Es
handelt sich sozusagen um die Standard-Schutzschaltung für den
SG 3525. Sie ist z.B. in der geregelten Version dieses Wandlers in
Bild 8.4 B vollständig eingezeichnet. Das gilt auch für die
verwendete Versorgungsschaltung. Auch der dort verwendete Trafo ist
in dieser Schaltung einsetzbar. Da der Wandler ungeregelt ist, kann
es problematisch sein, die Ausgangsgleichspannung mit einem Elko zu
sieben. Beim Softstart gibt es zwar eine geringfügige
Strombegrenzung durch die Streuinduktivität, diese kann aber
u.U. immer noch zu klein sein, sodass die Schutzschaltung anspricht,
bevor der Siebelko am Ausgang vollständig geladen ist. Der
Siebelko kann aber relativ klein gewählt werden, da der
Gegentaktwandler ohnehin nur kurze „Versorgungslücken“
hat. Abhilfe könnte z.B. eine Drossel zwischen Gleichrichter und
Siebelko schaffen. Auch ein sehr langsamer Softstart könnte das
Problem vermeiden, allerdings darf die Streuinduktivität
dafür nicht zu klein sein, damit der Strom nicht zu schnell
ansteigt. Bei Anwendungen, bei denen eine hohe Streuinduktivität
erforderlich ist, z.B. bei der Versorgung von Gasentladungslampen,
könnte man diese bis zur Kurzschlussfestigkeit erhöhen.
Dann wäre die Schutzschaltung sogar überflüssig.
Natürlich
wird man in der Praxis vermeiden, Trafos mit unnötig vielen
Wicklungen zu verwenden, deren Herstellung sehr aufwendig ist, zumal
deren Ausnutzungsgrad nicht optimal ist. Um die Primärspule auf
eine einzige Wicklung zu reduzieren, verwendet man Halb- oder
Vollbrückenschaltungen. Im einfachsten Fall nimmt man
einen Generator aus Kapitel 5 und gibt das Ausgangssignal über
einen Koppelelko auf die Primärspule. In Bild 8.3 D sind zwei
Versionen eines solchen Wandlers zu sehen. Bei Betriebsspannungen bis
zu 15 Volt reicht die einfache Version auf der linken Seite. Mit den
angegebenen Transistoren lassen sich Dauer-Ausgangsströme von 40
Ampere erreichen, was einer Ausgangsleistung von ca. 240 Watt
entspricht (40 A * ±6
V).
Bild 8.3 D Ungeregelte Halbbrücken-Flusswandler für kleine Betriebsspannungen
Bei
Betriebsspannungen über 15 Volt muss der Timer-IC NE 555 mit einer
separaten Versorgungsspannung versehen werden. Im
einfachsten Fall wird die Spannung mit einer Zenerdiode begrenzt und
die Versorgungsspannung des IC über R 4 zugeführt. Noch
besser wäre natürlich ein Spannungsregler für den
Timer-IC, z.B. ein 78L12 oder 78M12. Mit den angegebenen Bauteilen
lässt sich wieder ein Ausgangsstrom von 40 Ampere erreichen.
Wegen der höheren Betriebsspannung kann damit die
Ausgangsleistung rund 500 Watt betragen. Im Prinzip können so
auch noch höhere Leistungen umgesetzt werden, allerdings ist zu
beachten, dass die Spannungsquelle bei der Halbbrückenschaltung einer
sehr hohen Wechselstrombelastung ausgesetzt ist. Hier sind also
große Elkos mit niedrigem Innenwiderstand zum Ausfiltern dieser
Wechselströme erforderlich. Wegen der hohen Wechselströme
muss wieder besonders auf die Designregeln geachtet werden, die ich
schon in Kapitel 6.1 angesprochen habe.
Natürlich
wird man in der Praxis vermeiden, Trafos mit unnötig vielen
Wicklungen zu verwenden, deren Herstellung sehr aufwendig ist, zumal
deren Ausnutzungsgrad nicht optimal ist. Um die Primärspule auf
eine einzige Wicklung zu reduzieren, verwendet man Halb- oder
Vollbrückenschaltungen. Im einfachsten Fall nimmt man
einen Generator aus Kapitel 5 und gibt das Ausgangssignal über
einen Koppelelko auf die Primärspule. In Bild 8.3 D und Bild 8.3 D1
sind drei
Versionen eines solchen Wandlers zu sehen. Bei Betriebsspannungen bis
zu 15 Volt reicht die einfache Version auf der linken Seite. Mit den
angegebenen Transistoren lassen sich Dauer-Ausgangsströme von 40
Ampere erreichen, was einer Ausgangsleistung von ca. 240 Watt
entspricht (40 A * ±6
V).
Bild 8.3 D1 Ungeregelter Halbbrücken-Flusswandler für isolierende DC-DC-Wandler mit kleiner Betriebsspannungen
Für die Spulen sind i.d.R., abhängig von Kerngröße und Frequenz, nur wenige Windungen auf einem Ringkern nötig. Mit dem aufgebauten Generator kann man leicht feststellen, wieviele Windungen man tatsächlich braucht. Dazu zieht man ein isoliertes Kabel mehrfach durch den Ringkern und schließt es an den Generatorausgang an. erreicht man die benötigte Windungszahl, geht der Stromverbrauch der Schaltung und die Erwärmung des Ringkernes deutlich zurück. Auf die Verwendung eines Verlustarmen Kernmaterials, z.B. TDK/Epcos N87 ist ebenfalls zu achten. Je nach benötigter Isolationsspannung verwendet man für wenigstens eine Spule einen isolierten Schaltdraht mit ausreichender Spannungsfestigkeit oder gleich ein ungeschirmtes Hochspannungskabel. Für den Sekundärgleichrichter verwendet man am besten eine Villard-Verdopplerschaltung. Die ist tollerant gegenüber asymmetrischen Wechselspannungen und nutzt trotzdem beide Halbwellen gleichermaßen zur Energieübertragung. Die benötigten geregelten Sekundärspannungen lassen sich dann bequem auf der Sekundärseite mit einfachen unisolierten DC-DC-Wandlern erzeugen.Sollen höhere Spannungen mit einem Halbbrückenwandler umgesetzt werden, ist eine potentialfreie Ansteuerung des oberen Schalttransistors erforderlich. Eine Möglichkeit ist z.B. die Verwendung eines Steuertrafos, wie in Bild 5.1 B zu sehen.ist. Allerdings ist das dynamische Verhalten des Trafos gerade bei der Ansteuerung von MOSFETs und IGBTs immer ein gewisser Unsicherheitsfaktor. Bei Halbbrücken mit bipolaren Schalttransistoren gibt es eine besonders einfache Methode, die Transistoren mit einem Steuertrafo anzusteuern, wie in Bild 8.3 E zu sehen ist. Die Halbbrücke ist selbstschwingend und der Steuertrafo bestimmt in erster Linie die Schaltfrequenz.
Bild 8.3 E Halbbrückenwandler mit Steuertrafo Aufbau des Steuertrafos Tr 1
Bei dem
Steuertrafo handelt es sich um einen Stromwandler,
der sehr einfach aufgebaut sein kann. In diesem Beispiel besteht er
aus einem hochpermeablen Ferritring mit 10 mm Durchmesser und 4 mm
Höhe. Die Basis-Steuerspulen werden mit je 5 Windungen auf den
Ringkern gewickelt. Die Zuleitung zum Haupttrafo Tr 2 wird einfach
einmal durch den Ringkern gezogen, was genau einer Windung
entspricht. Natürlich ist die Polarität der drei Spulen
genau zu beachten.
Nach dem
Einschalten der Betriebsspannung sind beide Transistoren gesperrt und
an der Verbindung von C 4 und C 5 stellt sich etwa die halbe
Betriebsspannung von ca. 150 Volt ein. Über R 1 lädt sich C
1 bis auf ca. 30 Volt auf, bis der Diac D 1
zündet und einen kurzen Stromimpuls auf die Basis von T 2 gibt.
Dieser schaltet dann durch und es kann ein Kollektorstrom in den
Trafo Tr 2 fließen. Der Strom durch Tr 2 fließt aber auch
durch die eine Windung auf dem Steuertrafo Tr 1. Entsprechend dessen
Übersetzungsverhältnis von 1:5 fließt der Hauptstrom
durch 5 geteilt in die Basis von T 2, sodass dieser durchgeschaltet
bleibt. Nach ca. 10-20 µs gerät der Ringkern des
Steuertrafos planmäßig in die Sättigung und die Basisspannung bricht
zusammen. Da der Kern aber noch
magnetisiert ist, wird die induzierte Spannung ihr Vorzeichen
umkehren und T 1 durchschalten. Sobald sich auch der
Ausgangsstrom umkehrt, kann T 1 durch den transformierten
Ausgangsstrom durchgeschaltet werden, bzw. bleiben. Ab dann
wiederholt sich der Vorgang periodisch. Sobald der Wandler
gestartet ist, wird C1 über D 2 vollständig entladen,
sodass keine weiteren Startimpulse mehr gezündet werden können.
Um Traforesonanzen zu
unterdrücken, muss der
Basis-Emitter-Strecke der Transistoren jeweils ein RC-Dämpfungsglied (
R 2 - C 2, bzw. R 3 - C 3 ) parallel geschaltet werden.
Besondere
Beachtung gilt dem Kern des Steuertrafos. Er soll aus einem
hochpermeablen Ferrit bestehen, damit der Magnetisierungsstrom vor
Eintritt der Sättigung möglichst wenig ins Gewicht
fällt. Besonders hohe Permeabilitätswerte sind z.B. mit dem
Werkstoff T 38 (µ ~
10000) erreichbar. Der verwendete 10-mm-Ringkern hat bereits
einen so großen Querschnitt, dass die Sättigung viel zu
spät eintritt. Die Schwingfrequenz würde im kHz-Bereich
liegen und einen störenden Pfeifton verursachen. Natürlich
könnte man einen noch kleineren Kern nehmen, der dann aber auch
die Induktivität der Spulen verringert und so einen höheren
Magnetisierungsstrom benötigt. Günstiger ist ein etwas
größerer Kern, der an einer Stelle eingekerbt ist, sodass
dem magnetischen Fluss an dieser Stelle nur ein stark reduzierter
Querschnitt zur Verfügung steht. Die Einkerbung lässt sich
leicht mit einem Diamantschleifkopf herstellen. Da der schmale Steg
nur sehr kurz ist, vergrößert er den magnetischen
Widerstand des gesamten Ringes nicht wesentlich. Sobald jedoch die
Sättigung in dem Steg eintritt, vergrößert sich der
magnetische Widerstand des Ringes um Größenordnungen. Der
zusätzliche magnetische Fluss müsste dann den Luftspalt in
der Einkerbung überwinden. Der Kern lässt sich daher
bereits mit einem relativ geringen Magnetisierungsstrom in die
Sättigung fahren. Ein Vorteil dieser Technik ist, dass nur ein
kleiner Bereich des Kernes gesättigt werden muss und so die
Verluste im Kern entsprechend niedrig sind.
Zu beachten
ist noch, dass die Schaltung keinen Überlastungsschutz besitzt.
Sie ist also nur für Anwendungen geeignet, bei denen kein
Kurzschluss auftreten kann. Denkbar wären z.B. einfache
Lampennetzteile für Niedervolt-Halogenlampen oder für
Gasentladungslampen. Bei Halogenlampen ist natürlich zu
beachten, dass der Wandler beim Kaltstart kurzzeitig ein Vielfaches
des normalen Betriebsstromes liefern muss. Bei
Gasentladungslampen muss die Streuinduktivität von Tr 2 so hoch
gewählt werden, dass der Ausgang kurzschlussfest ist. Wenn die
Lampe direkt mit Wechselspannung betrieben werden soll, muss
sich der Wandler in unmittelbarer Nähe der Lampe befinden, damit
man keine unnötige Störabstrahlung riskiert. In vielen
Fällen kann man auch auf den Siebelko hinter dem
Netzgleichrichter verzichten. Der Wandler muss dann allerdings nach
jedem Nulldurchgang erneut gestartet werden. R 1 sollte dazu
deutlich verkleinert werden, damit der Startimpuls möglichst
am Anfang jeder Halbwelle eintrifft. Andererseits ließe sich
auf diese Weise auch sehr einfach eine Phasenanschnittsteuerung
realisieren. Durch Veränderung von R 1 ließe sich der
Zündzeitpunkt des Wandlers in weiten Grenzen variieren, genau
wie man es auch von einem einfachen Triac-Dimmer kennt. Dies
würde z.B. einen Softstart oder das Dimmen einer Glühlampe
ermöglichen. Bei Verzicht auf einen Siebelko muss der
Entstörfilter entsprechend besser ausgelegt sein, damit die
hochfrequenten Wechselströme aus der Halbbrücke nicht ins
Netz gelangen.
Mit moderner
Technik lassen sich bei Hochvolt-Halbbrücken Steuertrafos durch
Verwendung integrierter Gate-Treiber-ICs vermeiden. Besonders einfach
lässt sich eine
Hochvolt-Halbbrücke mit einem IR 2153 aufbauen. Da der IR 2153 bereits
einen Oszillator eingebaut hat, sind
nur wenige externe Bauteile nötig. Mit der in Bild 8.3 F
angegebenen Schaltung lassen sich Ausgangsleistungen bis ca. 400
Watt erreichen.
Bild 8.3 F Hochvolt-Halbbrücke mit IR 2153
Genau wie
bei den 50-Hz-Trafos kann es auch hier bei optimaler Trafoausnutzung
beim Einschalten passieren, dass der Trafo zu lange in eine
Richtung magnetisiert wird und in die Sättigung gerät.
Aus diesem Grund wird der Wandler nach dem Start zunächst mit
etwa der 6-fachen Betriebsfrequenz angefahren. Leider gibt es
beim IR 2153 sonst keine einfache Möglichkeit, die
Einschaltdauer zu steuern. Die Frequenz ergibt sich aus den
Werten von C 2 und R2 und errechnet sich etwa zu f = 1/1,4 RtCt
.
Bei höheren Frequenzen liegt die Spannung nicht lange genug in
einer Richtung an, um den Trafo in die Sättigung bringen zu
können. Der IR 2153 hat eine fest eingestellte Totzeit von ca. 1,2 µs.
Dies ist der Zeitraum zwischen Ausschalten
eines Transistors und Einschalten des jeweils anderen. Die Totzeit
soll sicherstellen, dass niemals beide Transistoren gleichzeitig
leitend sind. Bei höheren Frequenzen nimmt die Totzeit einen
zunehmenden Anteil der gesamten Periodendauer in Anspruch, was die
mittlere Einschaltdauer reduziert. In Kombination mit der zunehmenden
Streuimpedanz reduziert sich daher die maximal übertragbare
Leistung mit zunehmender Frequenz. Das Anfahren des Wandlers mit
einer erhöhten Frequenz kann man also auch als eine Art
Softstart auffassen. Sobald
die Betriebsspannung
anliegt, wird C 1 über R 6 langsam aufgeladen. Bei ca. 9
Volt schaltet sich der IR 2153 ein und steuert die beiden MOSFETs an.
Eine Hilfswicklung auf dem Trafo liefert dann die
Versorgungsspannung, die über D 1 gleichgerichtet wird. Bei
größeren Trafos reicht da häufig schon eine
Drahtschlaufe, die durch den Kern gezogen wird. Die Spannung an C 1
wird durch eine interne Zenerdiode im IR 2153 auf 15,6 Volt begrenzt.
Dies muss bei der Dimensionierung der Hilfswicklung und R 1
berücksichtigt werden. Für die Ansteuerung von T 1 benötigt
der IR 2153 noch eine weitere Betriebsspannung zwischen Pin 6 und 8.
Während T 2 durchgeschaltet ist, wird diese aus der „normalen“
Betriebsspannung auf C 1 über D 2 zugeführt und in C 5
zwischengespeichert.
Nachdem der
IR 2153 eingeschaltet hat, laden die Steuerimpulse von T 2 über
D 4 und R 5 den Elko C 4 auf. Mit zunehmender Spannung auf C 4
beginnt T 3 langsam zu leiten. Dabei schaltet T 3 den Kondensator C 3
parallel zu C 2, was die Frequenz des Oszillators etwa um den Faktor
6 reduziert. Da T 3 nur langsam durchschaltet, schaltet die Frequenz
nicht plötzlich um, sondern wandert kontinuierlich von der
6-fachen Startfrequenz bis zur
eigentlichen
Arbeitsfrequenz. So ist
sichergestellt, dass der
Trafokern, trotz optimaler Ausnutzung bei der Arbeitsfrequenz,
während der Startphase nicht in die Sättigung gerät.
Soll auf der
Sekundärseite eine Gleichspannung gewonnen werden, ist darauf zu
achten, dass die/der Siebelko(s) nicht zu groß sein dürfen,
damit die Schalttransistoren während der Startphase nicht sofort
überlastet werden. Wegen des Gegentaktbetriebes müssen die
Siebkondensatoren, bzw. Elkos ohnehin nicht besonders groß
sein, da sie die Spannung ja nur während der Totzeit speichern
müssen. Im Zweifelsfall muss die Startfrequenz noch höher
gewählt werden, um den Einschaltstrom zu begrenzen.
Auf jeden
Fall ist auch diese Schaltung nicht kurzschlussfest, was eventuell
auch Absicherungsmaßnahmen an anderer Stelle erfordert.
Ein Nachteil
des IR 2153 besteht darin, dass zwischen den dicht nebeneinander
liegenden Pins 5 und 6 die volle (Netz-)Betriebsspannung liegt. Hier
sind auf der Leiterplatte entsprechende Maßnahmen zu
treffen, um eine Lichtbogenbildung zu vermeiden. Dafür ist es
auch hilfreich, beim DIP-8-Gehäuse die Lötpunkte von Pin 5
um 1/20“ nach innen und Pin 6 um 1/20“ nach außen
zu versetzen. Ansonsten empfehle ich dringend eine Versiegelung
dieses Bereiches mit einem Isolierlack.
Prinzipiell
lassen sich mit dieser Technik auch sehr hohe Leistungen übertragen.
In Bild 8.3 G ist eine Variation der Schaltung aus Bild 8.3 F zu
sehen. Die hohen Ausgangsströme von 40 Ampere lassen sich leicht
mit preiswerten und schnellen IGBTs erreichen. Die Ausgangsleistung
kann dabei über 2 kVA betragen. Die Schaltung wurde
entwickelt um zu testen, wie weit sich die Steuerleistung der
IGBTs reduzieren lässt, um den Aufwand vom Hilfsnetzteil für
die Steuerschaltung zu minimieren. Dazu werden die Gates der IGBTs
direkt auf die Betriebsspannung der Steuerschaltung gelegt und
die Emitter über einen Niedervolt-MOSFET angesteuert. Das hat
den Vorteil, dass der Gatestrom der IGBTs ein reiner Wechselstrom ist
und deshalb keine Steuerleistung benötigt.
Steuerleistung wird nur zur Ansteuerung der Niedervolt-MOSFETs
benötigt. Diese ist jedoch wesentlich geringer als
diejenige, die zur direkten Ansteuerung der IGBTs nötig wäre.
Das liegt einmal daran, dass Niedervolt-MOSFETs bei gleicher
Strombelastbarkeit wesentlich niedrigere Gate-Kapazitäten
besitzen als Hochvolt-FETs und natürlich auch daran, dass die
Gegenkopplung durch die parasitäre Miller-Kapazität wegen der geringen
Drainspannung am Steuer-MOSFET fast vollständig
wegfällt. Paradoxerweise kann diese Form der Ansteuerung unter
günstigen Bedingungen nicht nur mit geringer Steuerleistung
auskommen, sondern sie kann sogar noch den Betriebsstrom für die
gesamte Steuerschaltung liefern. Dies ist immer dann der Fall, wenn
die Transistoren einen hohen Strom abschalten müssen. Während
der jeweilige Steuer-MOSFET sehr schnell abschaltet, brauchen die
IGBTs dazu etwas länger.
Während des
Abschaltvorganges fließt deshalb kurzzeitig der Emitterstrom
über die Emiterdioden auf die jeweilige Betriebsspannung der
Steuerschaltung. Es wird also sozusagen ein kleiner Teil der
Schaltverluste der IGBTs abgezweigt, um die Steuerschaltung zu
versorgen. Zwei Supressordioden (P6KE15A)
schützen die Steuerschaltung vor Überspannung. Um die
Steuerschaltung sicher zu versorgen, ist noch eine
Phasenanschnittsteuerung vorgeschaltet, die ich bereits in Bild
4.3 ausführlich
beschrieben habe.
Da IGBTs
keine Inversströme vertragen,
die bei
induktiven Lasten immer auftreten, müssen ihnen noch je eine
Inversdiode (MUR 860) parallel
geschaltet werden.
Je nach Anwendung müssen ggf. auch stärkere Dioden für
Ströme von 20-30 Ampere verwendet werden. Verwendbar sind
prinzipiell alle ultraschnellen Dioden (FRED)
mit einer Sperrspannung von mindestes 600 Volt.
Bild 8.3 G Hochvolt-Halbbrücke für hohe Leistung mit IR 2153
Der Wandler
kann mit der ungesiebten Gleichspannung betrieben werden. Dies ist
dann sinnvoll, wenn es nur darum geht, hohe Leistungen zu übertragen,
z.B. bei Lampen oder Heizungsanwendungen. Mit einem großen
Siebelko ist auch ein kontinuierlicher Betrieb möglich. Bei
größeren Leistungen ist dann eine Einschaltstrombegrenzung
und eine Leistungsfaktorkorrektur erforderlich.
Wenn die
Wechselstrombelastung der Spannungsquelle nicht so groß sein
soll, was vorwiegend bei höheren Leistungen ein Problem sein
kann, wird man Vollbrückenschaltungen bevorzugen. Das erfordert
zwar einen höheren Bauteileaufwand, bei höheren Leistungen
fällt das aber nicht mehr so sehr ins Gewicht. Außerdem
halbiert sich der Spulenstrom bei einer Vollbrücke gegenüber
der Halbbrücke. Das verringert ohmsche Verluste und die
Streuinduktivität, die auch durch die Zuleitungen zum Trafo
entstehen. Dazu muss der Strom bei einer Halbbrücke noch durch
den Koppelkondensator fließen, was weitere Verluste
bedeutet. Immerhin wird man bei hohen Leistungen und niedrigen
Betriebsspannungen, z.B. 24 Volt, kaum mehr als eine Windung auf den
Trafo wickeln können. Das kann bedeuten, dass die äußeren
Zuleitungen zum Trafo inklusive Bauteile, die vom Primärstrom
durchflossen werden, einen wesentlich höheren induktiven
Widerstand haben als die Primärspule (ohne Kern) selbst, was
eine erhebliche Erhöhung der Streuinduktivität zur Folge
hat.
Bild 8.3 H MOSFET-Vollbrücke mit integrierten Gate-Treiber-ICs
Am
einfachsten lässt sich so eine Vollbrückenschaltung mit zwei
Gate-Treiber-ICs realisieren. Da diese ICs inzwischen recht
preiswert sind, lohnt sich deren Einsatz selbst bei niedrigen
Betriebsspannungen. Wie man in Bild 8.3 H sieht, sind nur wenige
externe Bauteile zum Betrieb der Vollbrücke erforderlich.
Als
Treiber-IC wird der IR 2151 verwendet. Dies ist
das Vorgängermodel des IR 2153, der zumindest als IC 2
nicht geeignet ist. Der IR 2153 hat ein Shutdown-Feature und schaltet
beide Transistoren ab, wenn an Pin 3 eine Spannung unter ca. 2 Volt
anliegt. Da Pin 3 von IC 2 digital angesteuert wird, ist das in
diesem Fall unerwünscht. IC 1 arbeitet, wie vom Hersteller
vorgesehen, als selbstschwingender Halbbrückentreiber.
Mit den angegebenen Werten für C 2 und R 1 liegt die
Schwingfrequenz bei ca. 32 kHz. Der Ausgang des internen Timers Pin 2
ist direkt mit dem Eingang Pin 3 des Timers von IC 2 verbunden.
Da der Timer das Signal von Pin 3 nach Pin 2 invertiert,
arbeiten die beiden ICs genau im Gegentakt. Die Leistung eines so
aufgebauten Flusswandlers wird praktisch nur noch durch die
Leistungsschalter T 1 bis T 4 begrenzt. Ausgangsleistungen im
kW-Bereich sind ohne weiteres möglich. Bei hohen Leistungen
und niedrigen Spannungen ist zu beachten, dass auch hier wieder sehr
große Stromänderungsgeschwindigkeiten auftreten. Deshalb
ist darauf zu achten, dass die stromführenden
Verbindungsleitungen von T 1 bis T4 und C 5 besonders kurz sind und
ein möglichst flaches Querschnittsprofil haben.
Da der
Hersteller (IR) bei Neuentwicklungen von der Verwendung des IR 2151
abrät, ist zu befürchten, dass er irgendwann nicht
mehr zu bekommen ist. In diesem Fall müssen andere ICs
verwendet werden, für die ich mir vorsichtshalber eine
Ersatzlösung ausgedacht habe. In Bild 8.3 I ist diese Änderung
zu sehen. Sie besteht aus einem selbstschwingenden
Halbbrückentreiber, wie gehabt, und einem normalen
Halbbrückentreiber.
Bild 8.3 I MOSFET-Vollbrücke mit integrierten Gate-Treiber-ICs
Die verwendeten ICs haben eine kürzere Totzeit von etwa 0,6 µs statt 1,2 µs beim IR 2151 und IR 2153. Das erlaubt entsprechend höhere Schaltfrequenzen. Prinzipiell ist es auch möglich, zwei IR 2153 zu verwenden, falls diese leichter zu beschaffen sind. In diesem Fall muss Pin 2 von IC 1 nicht direkt, sondern über eine 2,7 V-Zenerdiode an Pin 3 von IC 2 angeschlossen werden. Ein Widerstand von Pin 3 nach Pin 1 von IC 2 hebt das Potential an Pin 3 um 2,7 Volt, sodass die shutdown-Funktion außer Betrieb gesetzt ist. In Bild 8.3K ist diese Änderung zu sehen. Ansonsten ist die Schaltung identisch mit Bild 8.3 H.
Bild 8.3 K Vollbrückensteuerung mit zwei IR 2153
Die
Schaltungen aus Bild 8.3 H...J können nahezu ohne Änderungen
auch für Spannungen bis über 400 Volt verwendet werden.
Dabei muss nur eine separate Stromversorgung für die Steuer-ICs
vorgesehen werden. Eventuell ist es sinnvoll die Betriebsspannung der
Gate-Treiber-ICs auf 10 - 12 Volt zu begrenzen. Bei höheren
Betriebsspannung (intern auf 16,5 Volt begrenzt) kann sich durch die
durch die Gatewiderstände bedingten Entladezeiten der Gates die
effektive Totzeit verkürzen.
Natürlich
kann man so eine Vollbrücke auch mit einem Steuertrafo ansteuern.
Diesen wird man sich aber i.d.R. selbst anfertigen müssen.
Andererseits wäre es denkbar, dass es in Zukunft auch
Standard-Steuertrafos für die MOSFET- und IGBT-Ansteuerung zu
kaufen gibt. Mit einem kleinen hochpermeablen Ringkern lässt
sich so ein Trafo leicht anfertigen. Dazu zieht man einfach pro Spule
0,15 mm Kupferlackdraht jeweils 20 mal durch den Kern. Mit 20
Windungen können Frequenzen ab etwa 50 kHz übertragen
werden. Für niedrigere Frequenzen wären entsprechend mehr
Windungen erforderlich, was aber bei der Einzelanfertigung mit einem
Ringkern zunehmend mühsam wird. Die drei Spulen sollten
wegen der Potentialdifferenz von ca. 400 Volt ausreichend Abstand
haben. Da hochpermeable Ferritkerne auch elektrisch leitfähig
sind, sollte der Ringkern außen isoliert sein. In diesem
Fall sollte ein handelsüblicher kunststoffbeschichteter Ringkern
verwendet werden.
Bild 8.3 L Hochvolt-Vollbrücke mit Steuertrafo und hoher Ausgangsleistung
In Bild 8.3
L ist ein Wandler mit Steuertrafo zu sehen. Der Vorteil bei der
Schaltung ist, dass nur ein einziger Trafo mit drei Spulen
benötigt wird. Der Generator kann z.B. mit einer
380-Volt-Gleichspannung aus einer Leistungsfaktor-Korrekturschaltung
oder auch direkt mit der gleichgerichteten aber ungesiebten
230-Volt-Netzspannung betrieben werden. Letzteres würde
ausreichen bei Anwendungen, wie z.B. Beleuchtungstechnik,
Schweißtechnik oder in Induktionsöfen.
Zur
Versorgung des SG 3525 mit ca.
15 Volt habe ich
hier eine Schaltung vorweggenommen, die ich erst in Kapitel
13.1 über Spezialwandler
beschreiben will. Als Oszillator dient ein PWM-Schaltregler-IC vom
Typ SG 3525. Dieser hat den Vorteil, dass er bereits
Gegentakt-Ausgangstreiber enthält und sowohl den Trafo als
auch die Endstufentransistoren im unteren Brückenzweig direkt
ansteuern kann. Der Steuertrafo ist so beschaltet, dass abwechselnd
ein positiver und ein negativer Einschaltimpuls übertragen
wird. Theoretisch könnte man nun mit den Spannungen der
Sekundärspulen direkt auf die Gates von T 6 und T 7 gehen; je
nach Polarität würde immer der richtige Transistor
durchschalten. Wegen der Streuinduktivität des Steuertrafos kann
es allerdings zu Verzögerungen des Schaltvorganges und auch zu
unerwünschten Resonanzen im Trafo kommen. Um zumindest ein
schnelles Ausschalten der Transistoren im oberen Brückenzweig
sicherzustellen, wurde noch eine kleine Zusatzschaltung
eingefügt. Ohne Steuersignal werden die Transistoren T 4 und T 5
über R 15 und R 16 voll durchgeschaltet und sorgen so für
eine schnelle Entladung der Gates. Sobald eine positive
Steuerspannung vom Trafo kommt, gelangt diese über D 4 und D 5,
bzw. D 6 und D 7 auf die Gates des MOSFETs, während T 4, bzw. T
5 sperrt. Ein RC-Glied an jeder Sekundärspule des Steuertrafos
dämpft die auftretenden Resonanzen im Trafo.
Der SG 3525
hat eine minimale Totzeit von
etwa 0,5 µs
eingebaut, die sich bei Bedarf durch Einfügen eines Widerstandes
zwischen Pin 5 und Pin 7 erhöhen lässt. Die Schaltfrequenz
lässt sich mit dem Poti P etwa zwischen 50 und 250 kHz
einstellen.
Ein großer
Vorteil der Vollbrücke besteht darin, dass der Laststrom immer
über einen der Transistoren im unteren Brückenzweig
fließt und deshalb mit einem gemeinsamen Sourcewiderstand überwacht
werden kann. Die Schutzschaltung misst die Spannung am gemeinsamen
Sourcewiderstand R 21. Bei
Überlastung wird die aus T 2 und T 3 bestehende monostabile
Kippstufe getriggert und legt den Disable-Eingang (Pin 10) des
SG 3525 für einige 100 ms auf 5 Volt. Dadurch werden die
Ausgänge sofort zurückgesetzt und alle
Endstufentransistoren gesperrt. Zusätzlich wird der
Softstart-Elko C 6 entladen, sodass die Einschaltdauer auf null
reduziert wird. Nach einer Fehlerauslösung beginnt der
Wandler wieder mit einem Softstart.
Je nach
verwendeten Transistortyp in der Endstufe und Arbeitsfrequenz kann es
passieren, dass der vom Hilfswandler kommende Versorgungsstrom nicht
ausreicht, die Betriebsspannung der Steuerelektronik zu liefern.
In diesem Fall empfehle ich die etwas leistungsfähigere und
effizientere Abwärtswandler-Schaltung aus Bild 6.1 n.